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《晶体生长手册1:晶体生长及缺陷形成概论(影印版)》全面阐述基础理论，提供可靠的研究方法和关键知识皮及大量的参考文献，介绍最新的应用实例，前瞻学科的发展方向。手册作者多为世界首席专家或知名学者。《晶体生长手册1:晶体生长及缺陷形成概论(影印版)》具有极大的实用性，其表格、图标、索引等更增加了它的使用价值。

缩略语

Part;A晶体生长基础及缺陷形成

1.晶体生长技术和表征：综述

;;1.1发展历史

;;1.2晶体生长理论

;;1.3晶体生长技术

;;1.4晶体缺陷及表征

;;参考文献

2.表面成核

;;2.1晶体环境衡

;;2.2晶核形成及工作机理

;;2.3成核率

;;2.4饱和晶核密度

;;2.5在同质外延中的层成核

;;2.6异质外延中的聚集机理

;;2.7表面活剂对成核的影响

;;2.8结论与展望

;;参考文献

3.溶液中的晶体生长形态

;;3.1衡

;;3.2晶体的生长相理论

;;3.3影响晶体特的因素

;;3.4表面结构

;;3.5晶体缺陷

;;3.6成核动力学一一过饱和

;;3.7溶剂

;;3.8杂质

;;3.9其他因素

;;3.10晶体特变化过程

;;3.11小结

;;3.A附录

;;参考文献

4.晶体生长过程中缺陷的生长及演变

;;4.1综述

;;4.晶

;;4.3条纹和生长区

;;4.4位错

;;4.5孪晶

;;4.6溶液中快速生长完整晶体

;;参考文献

5.没有约束条件下的单晶生长

;;5.1背景

;;5.2光滑和粗糙的接触面：生长机理和形态学

;;5.3表面微形貌

;;5.4多面体材料晶体的生长形貌

;;5.5内部形态

;;5.6完整单晶

;;参考文献

6.熔体生长晶体期间缺陷的形成

;;6.1综述

;;6.2点缺陷

;;6.3位错

;;6.4相粒子

;;6.5面缺陷

;;6.6孪晶

;;6.结

;;参考文献

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插图:

4.4.2 Sources of Growth Dislocationr>For topological reasons dislocation lines cannot start orend in the interior of a perfect crystal. They either formclosed loops, or they start from external and internal surfaces (e.g., grain boundaries), or from other defects witha break of the crystal lattice. In crystal growth, such defects may arise from all kinds of inclusions (e.g., foreignparticles, liquid inclusionubbles, solute precipitates).When inclusions are overgrown and closed by growthlayers, lattice closure errors may occur. These errors arethe origin of growth dislocations which are connectedto the growth front and propagate with it during furthergrowth.

It is a very common observation that inclusions arethe source of growth dislocations. Examples are shownin Figs. 4.3, 4.5, 4.10, etc. The appearance of dislocationehind an inclusion (viewed in the directionof growth) is correlated with its size: small inclusionsemit only a few dislocations or are often dislocationfree. Large inclusions (> 50μm) usually emit bundlesof dislocations. In some cases, however, large inclusions(several millimeters in diameter) of mother solutionswithout dislocation generation have been observed (e.g.,in the capping zone of KDP [4.84, 85]).

The generation of growth dislocationy foreignparticle inclusions haeen experimentally studied byNeuroth [4.86] in crystals growing in aqueous solution (potassium alum) and in supercooled melt (benzophenone (C6H5)2CO, Tm = 48 ~C; salol C13H1003,Tm=42℃).

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书籍介绍

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